GT40QR21(STA1,E,D

HOME > 전자부품/커넥터 > 반도체 > 디스크리트 반도체

MPN : GT40QR21(STA1,E,D

Toshiba GT40QR21(STA1,E,D IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole

제품정보
배송정보
(영업일 기준)
특이사항

구매수량 :

*대량구매해택

수량단가1 : 1개 ~ 4,612원
수량단가2 : 25개 ~ 4,475원
수량단가3 : 100개 ~ 4,338원

수량단가4 : 250개 ~ 4,252원
수량단가5 : 500개 ~ 4,166원

총금액

(VAT 별도)

상품정보
상품후기
상품문의
배송/AS안내

맞춤견적상품 주의사항>
</p>
<p style=

■ 제품필수정보

제조사	Toshiba
제조사품명	GT40QR21(STA1,E,D
간략설명	Toshiba GT40QR21(STA1,E,D IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 40 A Maximum Collector Emitter Voltage = 1200 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 230 W
패키지 = SC-65
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 0.2µs Transistor Configuration = Single
크기 = 20 x 15.5 x 4.5mm
최대 작동 온도 = +175 °C IGBT Discretes, Toshiba