FGA50N100BNTDTU

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MPN : FGA50N100BNTDTU

onsemi FGA50N100BNTDTU IGBT, 50 A 1000 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

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■ 제품필수정보

제조사	Onsemi
제조사품명	FGA50N100BNTDTU
간략설명	onsemi FGA50N100BNTDTU IGBT, 50 A 1000 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

■ 제품사양

Maximum Continuous Collector Current = 50 A Maximum Collector Emitter Voltage = 1000 V Maximum Gate Emitter Voltage = ±25V Maximum Power Dissipation = 63 W
패키지 = TO-3P
장착형태 = Through Hole Channel
타입 = N
핀수 = 3 Switching Speed = 1MHz Transistor Configuration = Single
크기 = 15.8 x 5 x 20.1mm
최소 작동 온도 = -55 °C Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor